㈠ 為什麼硅的半導體性能能製成晶元和光電池。就是半導體為什麼能製成晶元和半導體。實質
晶元就是IC，泛指所有的電子元器件，是在硅板上集合多種電子元器件實現某種特定功能的電路模塊。由於硅的半導體可以製成由於半導體可以進行不同摻雜形成pn結，使其具有整流特性實現電路的與或非門，即邏輯表達。對於集成電路來講，最底下的一層叫襯底（一般為P型半導體），是參與集成電路工作的。拿cmos工藝來講，N溝道mos的p型襯底都是連在一起的，都是同一個襯底。集成電路是一些電子元器件加連線構成，它通過加反偏和其他的技術來實現隔離（如器件二極體、三極體、場效應管）。
光電池就是利用半導體的光敏特性，在光照下，價帶的電子會躍遷到導帶，吸收大部分的太陽光，產生非平衡載流子，在pn結內建電場的作用下，形成了由n到p的光電流（參看光生伏特效應）這樣就實現了太陽能轉化為電能。（目前量產的單晶硅電池轉換效率在17%左右，多晶硅電池轉換效率在16%左右，而薄膜電池量產的轉換效率為10%左右。）
能力有限希望你能滿意。